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台积电（TSM.US）近日公告称，将减持中芯国际（0981.HK）943.7万股，每股平均作价9.28港元，总交易金额约达8758万港元。最新持股数目约为1166.8万股，最新持股比例约为0.2%。

此前在5月24日，中芯国际（SIM.N）申请在纽交所退市，退市后依然可在场外交易。消息公布后，中芯国际美股和港股同时大跌4%，随后均出现大涨，创下去年9月以来的新高。

资料显示，中芯国际成立于2000年，是一家纯晶圆代工厂，也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，提供0.35微米到28纳米8寸和12寸芯片代工与技术服务。目前全球最先进的制程工艺为7纳米，实现量产的最大晶圆尺寸为12英寸。制程工艺越精细、晶圆尺寸越大，集成度越高，可使器件功耗降低、性能提高，相应的工艺难度和成本也越高。

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截至去年底，中芯国际的三大股东分别为大唐控股（国务院国资委控制）、鑫芯香港（国家集成电路大基金控制）和紫光集团，分别持股17.06%、15.82%和7.43%。

中芯国际总部位于上海，实际控制人为国务院国资委。目前，其在全球一共六家代工厂，在上海和北京各有一座300mm（12英寸）晶圆厂；另外，在上海、天津、深圳和意大利阿韦扎诺各有一座有200mm（8英寸）晶圆厂。

来源：公告

在制程工艺方面，公司目前已经完成28纳米布局，正在攻克的是14纳米FinFET制程技术。

综合2018年年报和2019年季报表述，在28纳米阶段，中芯国际已经完成HKC技术研发并开始客户导入工作。公司称，第二代28HKMG平台28HKC+，相比第一代28HKMG技术功能改善15%并节省能源25%，将于2019年规模生产；在14纳米阶段，已经完成14纳米FinFET技术研发并开始客户导入，将于2019年开始风险生产，而非此前声称的量产。

今年一季报中，中芯国际首席执行官梁孟松称FinFET研发进展顺利，配套的上海中芯南方FinFET工厂已经建造完成，开始进入产能布建，并未称何时量产；在12纳米阶段，中芯国际已完成技术研发，进入客户导入阶段；在光罩制造方面，公司已开发出14纳米级光罩，今年可提供14纳米光罩制造服务。

总体来看，中芯国际在28纳米制程方面已经成熟，28纳米技术于2013年第四季度推出，目前可提供28纳米PolySiON和HKMG制程服务。

在高端消费电子方面，相对于40纳米工艺制程可应用于手机基带及应用处理器和平板电脑多媒体应用处理器，28纳米工艺制程可直接应用于智能手机、平板电脑。但中信建投在研报中表示，华为麒麟960/970/980制程分别为16/10/7纳米，中芯国际14纳米工艺处于960-970之间，在当前手机性能过剩的情况下，其工艺只可满足中低档手机需求。梁孟松在业绩沟通会上也表示，中端智能手机应用处理器和其他消费产品正在从28纳米迁移到14纳米和12纳米。所以中芯国际依然需要加快步伐。

虽然中芯国际最先进的制程工艺已为28纳米，并且已在高端制程工艺上取得突破，但其主要收入来源依然是落后制程：2018年，中芯国际实现营业收入232亿，实现净利润9.2亿，75%的收入来自45纳米以上的落后制程产品，25%来自40/45纳米以下产品，其中最高制程28纳米对收入的贡献只有6%，高端制程贡献的收入占比远低于台积电等第一梯队。

来源：公司公告

相比之下，台积电在2010年量产28纳米技术，2015年实现14/16纳米芯片商业化量产，目前已经实现10纳米和7纳米量产。

FinFET，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小，FinFET将场效应管立体化。2015年三星率先将FinFET技术用于10nm制程，2016年台积电也将FinFET技术用于10nm制程节点。

为了追赶台积电、格罗方德和联华电子等对手，中芯国际从28纳米工艺直接跳级到14纳米工艺。2015年6月，中芯国际和华为、高通、IMEC合作研发14纳米工艺。为了实现14纳米FinFET制程技术研发，并在2019年实现每月量产3.5万片的目标，中芯国际在2017年聘请台积电前高管梁孟松担任首席执行官，并牵手两大基金。2018年1月，中芯控股、中芯上海与国家集成电路基金及上海集成电路基金签订合资合同和增资扩股协议，四方将联合向14纳米制程晶圆厂中芯南方集成电路製造有限公司注资102.4亿美元，其中两个基金承诺出资17亿美元。

公司称，通过将与国家集成电路基金和上海集成电路基金以合资形式建立12英寸晶圆厂，可加快引进先进的製造工艺和产品，亦减轻因先进制程产能扩充而产生的巨额现金投资和巨大折旧成本。

从中芯国际的发展历程来看，为突破先进制程工艺带来的巨额投入和折旧拖累了盈利能力。2016年中芯国际实现净利润26亿，随后在2017年和2018年持续下滑。2016年同样也是公司毛利率和净利率拐点，随后双双下滑。并且未来盈利预测悲观，2019年度和2020年度预计净利润分别为3.8亿和4.4亿，远低于2018年。

公司管理层称，近两年中芯国际处于“转型过渡期”。一方面，智能手机增长放缓，2018年中芯国际41%的收入来自通讯产品，并且智能手机行业增长主要动力转为由先进制程的高性能运算产品为主，成熟制程的竞争愈加激烈，价格压力远大于原先的预期，公司晶圆平均售价逐年下跌，2018年，每片晶圆的售价从719美元降至656美元；另一方面，新产能扩充所带来的折旧费用增加以及研发投入的加大拖累了业绩。

财报显示，从2016年起，中芯国际开始加大研发投入和资本开支。在2016-2018年，中芯国际的研发投入分别为22亿、28亿和38亿；资本开支分别为197亿、152亿和126亿，其中主要用于产能扩充和技术研发；折旧及摊销费用分别为51亿、63亿和72亿，其中主要是物业、厂房和设备折旧。

在2019年，公司的研发重点依然是FinFET技术，公司2019年的计划资本开支约为21亿美元，主要用于扩张上海300mm晶圆厂的产能及FinFET研发线。

半导体产业存在着以2~3年为阶段的“硅周期”，中芯国际表示目前半导体行业的周期性和原材料波动，依然是面临的最主要的两大挑战。

中信建投发布研报称，目前国内半导体产业处于逆产业周期突破阶段，半导体厂商大幅投资，带动国内半导体设备市场快速增长，此次华为事件会进一步加速国内半导体在IC设计、IC制造及相关设备等领域的布局。

6月6日收盘，中芯国际美股报5.52美元，港股报8.76港元。

作者：习曼琳

编辑/樊宏伟