占集成电路约三分之一的存储芯片被认为是半导体市场的晴雨表。AI催化、消费电子行情低迷两股力量拉扯下，存储行情近期走出了分化。

近日接受第一财经记者采访时，头部NAND Flash主控芯片厂商慧荣科技终端与车用存储业务群资深副总段喜亭表示，因AI需求推动，上半年数据中心需求非常火热，一方面需要HBM（高带宽内存）将数据快速交给处理器运算，另一方面又需要大容量SSD（固态硬盘）存储大量数据。

HBM由多个DRAM颗粒（动态随机存储器）堆叠而成，几乎是高性能AI芯片的刚需，最早被AI催化，SSD则由NAND Flash颗粒（一种非易失性存储介质，下称闪存）制成，两种颗粒占据了最主要的存储芯片市场。但在可见的数据中心火热需求下，市场需求其实分配不均。段喜亭告诉记者，上半年原厂闪存颗粒价格持续上涨，消费电子终端价格却出现脱节。其背后，消费终端零售市场需求非常惨淡，要靠数据中心的需求弥补来支撑原厂闪存颗粒涨价。这种情况下，下半年闪存颗粒能涨多少还需观察。

在冷热的两端，一边是DRAM厂商火热扩产HBM、NAND Flash厂商推动价格回涨，另一边消费电子“寒潮”未完全退去。市场需求青黄不接之际，另一些由AI带来的深刻变化正在发生。

存储行情冷热不均

行情上看，HBM需求仍在走高。据SEMI（国际半导体产业协会）近日报告，来自晶圆厂设备部门的销售额预计将在2024年增长2.8%，达到980亿美元，高于此前预测，原因包括业内大量投资DRAM和HBM。

几大DRAM厂商仍在比拼扩产。SK集团近日表示，旗下半导体子公司SK海力士计划到2028年投资103万亿韩元，其中约80%的金额将用于投资HBM。另有消息称，美光正在美国建设HBM测试产线与量产线，计划在2025年将HBM市占率提高至20%左右。

记者了解到，扩产已逐渐缓解HBM产能紧缺的状况。“HBM技术迭代速度非常快，下半年主要集中在HBM3e的需求上。总体来看，HBM依然处于供不应求的状态。但在搭载HBM3的英伟达H100芯片中，已经观察到其周期收敛至一个季度的趋势。” TrendForce集邦咨询分析师王豫琪告诉记者。

不过，HBM之外，存储行情存在分化。因AI训练等环节需存储大量数据，闪存产品在数据中心的需求也有所增长，但闪存另一大应用领域消费电子仍显疲态。据IDC数据，今年第二季度全球PC出货量同比增长3%至6490万台，第一季度全球智能手机出货量同比增长7.8%至2.89亿台，但两者出货量均不及2022年同期。

需求反映至闪存颗粒价格。“上半年闪存颗粒价格拉升得非常快，数据中心所需产品供不应求。但目前看，下半年消费电子终端零售市场还是不够好。闪存原厂是不是会继续涨价，要看数据中心下半年还有多大动力购买存储产品。我认为下半年闪存颗粒涨价幅度会收敛，但还不确定会收敛多少。”段喜亭告诉记者。

从现货闪存颗粒价格看，TrendForce集邦咨询分析师敖国锋则告诉记者，闪存原厂经历去年大幅亏损后，今年首要目标是实现或增加盈利，尤其在今年产能未大幅扩张的情况下，闪存价格持续上涨。但由于现货市场需求不佳，现货价格并未像原厂价格那样积极上涨。

集邦咨询预测，第三季度Enterprise（企业）SSD受惠于AI扩大使用，但消费电子需求持续不振。预测NAND Flash均价涨幅将从第二季度的15%~20%收敛至第三季度的5%~10%。

虽未直接生产存储颗粒，国内多家企业业务也与存储系统、存储模组、SSD等相关。经历行情回暖的上半年并面对需求未完全确定的下半年，闪存相关厂商的业绩和股价有所反应。

从业绩看，同有科技、佰维存储近日预告了今年上半年净利润同比扭亏，分别预计盈利0.4亿元~0.52亿元和2.8亿元~3.3亿元，江波龙也预告上半年同比扭亏，盈利5.2亿元~6.1亿元。从股价看，同有科技、朗科科技、江波龙和佰维存储今年年初都曾有过一波股价拉升，年内盘中股价高点分别定格在3月、3月、4月和7月初，但高点后，股价便持续波动或有所下滑。

AI改变了行业竞争

数据中心和消费电子终端都面临AI算力消耗带来的能源问题。使用电池且无法如数据中心一样采用液冷等辅助方式的消费电子终端，对存储产品的功耗要求更加严格。段喜亭告诉记者，AI的“风”要从数据中心“吹”到消费终端设备面临三大挑战，包括控制终端能耗、缩小大语言模型和降低成本。

存储厂商的竞争已从更快数据传输速度、更大存储容量“打”到了更节能。记者近日从三星电子了解到，三星在联发科下一代天玑移动平台完成了其最快的LPDDR5X DRAM验证，该产品便突出了能耗降低对具备AI功能的移动设备的适应。闪存和SSD厂商铠侠此前告诉记者，铠侠在推进大容量的同时也会发力低功耗、省电。铠侠本月开始送样的2TB四级单元（QTC）存储器也强调了功耗表现和对AI场景的适应。

节能的要求对闪存产品主控芯片厂商而言，一定程度上则成为高制程的比拼。不同于通过3D堆叠提高存储密度、不太强调先进制程的存储颗粒，闪存产品上还有一颗需要依靠制程进步提升性能的主控芯片。记者了解到，应AI场景的高性能和低功耗要求，这颗主控芯片也开始迈向高制程。

“以前我们评估主控芯片好坏主要看速度，但在AI时代，我们看的是单位瓦数里的数据传输速度。这对主控芯片厂商来说构成了更高门槛。我们最新推出的产品已经用到台积电6nm EUV制程。进入6nm乃至5nm、3nm，厂商投资将会非常巨大，行业竞争门槛更高了。”段喜亭告诉记者，英伟达AI芯片迭代速度基本是一年推出一颗，闪存主控芯片与之相似，迭代速度加快后，主控芯片厂商需要考虑自身是否有足够的财力持续进行研发投资。

“为满足AI服务器对节能和散热的要求，越来越多厂商开始采用6~12nm制程开发SSD主控。这不仅大幅提高了开发资金的门槛（预计开发6/7nm制程所需资金约为2千万~3千万美元），同时也使研究技术变得愈加复杂。这些因素将会拉大主控厂商之间的竞争态势。” 敖国锋也告诉记者。

不论是服务器还是消费电子终端，为适应AI工作负载而使用更快的HBM、更大容量的闪存产品和先进制程的闪存主控芯片都可能拉高成本。市场研究机构TechInsights近日报告就指出，AI将推动芯片平均价格上涨。

虽然闪存颗粒下半年是否继续涨价存在不确定性，但受益于AI对先进制程芯片的强劲需求，代工龙头台积电涨价似乎更具确定性。台积电今年6月便传出针对部分先进制程芯片涨价。业内人士告诉记者，台积电涨价是基于在先进制程领域的定价权，在竞争压力较大的成熟制程领域不太敢明显涨价，而先进制程涨价目前还没看到停下来的迹象。

编辑/范辉