第三代半导体材料“碳化硅（SiC）”持续向大尺寸化方向演进，8英寸碳化硅产业链也是利好频传。日前，三安光电相关负责人向财联社记者透露，重庆三安项目（系8英寸碳化硅衬底配套工厂）已实现衬底厂的点亮通线；碳化硅衬底厂商天岳先进证券部人士也表示，8英寸导电型已经形成规模化并进入量产阶段，产品在持续交付。

天岳先进董事长宗艳民在今日举行的业绩会上回答财联社记者提问时表示，“晶圆越大，带来的成本优化能有效控制碳化硅器件成本。未来几年内，随着技术进步，8英寸碳化硅将逐步起量。”

市场分析认为，基于降本和长期视角，8英寸晶圆将有助于碳化硅器件在更多应用领域实现大规模商业化，推动碳化硅市场进入新的发展阶段。

8英寸热度不减 多家厂商披露新进展

因成本优势和应用需求前景被看好，8英寸碳化硅布局热度不减。据统计，目前全球已有超过10家厂商正在投资建设8英寸SiC晶圆厂。近期，英飞凌、晶升股份等产业链公司亦纷纷披露碳化硅项目最新进展。

在近期举办的elexcon2024 深圳国际电子展上，英飞凌科技副总裁刘伟透露，“我们有两个8英寸碳化硅生产基地，分别位于奥地利菲拉赫和马来西亚居林。菲拉赫的晶圆良率达到甚至超过150mm（6英寸），计划在质量验证通过后的三年内全面过渡到200mm（8英寸）产能；居林工厂最快会在2025年第一季度开始推出基于200mm的产品。”

衬底方面，财联社记者以投资者身份从三安光电证券部获悉，湖南三安的全资子公司重庆三安是匹配生产8英寸碳化硅衬底供应给安意法。其工作人员表示，重庆三安项目已经通线，设备开始运转了，但该厂的体量要等对应的芯片和外延厂也通线才会放大量。

谈及后续扩产，三安光电前述工作人员透露，“湖南那边我们6英寸已经不再扩产，后续都扩8英寸。”

此外，天岳先进目前已形成两大主要碳化硅半导体材料生产基地。宗艳民表示，公司将计划进一步扩展临港工厂8英寸碳化硅衬底产能，公司在8英寸产品上的产销会持续提高。

数据显示，天岳先进H1实现营收和净利润分别为9.12亿元、1.02亿元，同比增长108%、241%。问及8英寸相关产品量产的业绩贡献，公司证券部人士表示，“这个是有一部分原因在的，包括我们上海临港工厂整个的产能规划也是在稳步提升。”

在今日举行的半年度业绩说明会上，天岳先进方面提到，业绩持续增长的原因之一是终端应用领域对高品质车规级碳化硅产品的需求非常旺盛。半年报显示，公司导电型产品产能产量持续提升，产品交付能力持续增加。

设备方面，晶升股份首批8英寸碳化硅长晶设备已于今年7月在重庆完成交付；宇晶股份目前应用于8英寸碳化硅衬底切割与抛光设备已经在市场销售。

降本效应显著 市场份额望快速增长

宗艳民告诉财联社记者，“目前市场主要还以6英寸晶圆为主。碳化硅晶圆向8英寸发展，这个是半导体行业发展的规律。”

TrendForce集邦咨询此前数据显示，8英寸的产品市占率不到2%，并预测2026年市场份额将成长到15%左右。

从4、6英寸到8英寸，一位业内人士在谈及产品优势时向财联社记者表示，成本上会有所下降。而良率和技术提升、规模化效应等将推动碳化硅衬底成本的下降。

据SiC衬底制造商天科合达测算，从4英寸升级到6英寸预计可将单位成本降低50%；从6英寸到8英寸成本预计还能再降低35%。

“碳化硅需求前景广阔，随着技术突破和成本下降，碳化硅功率器件将大规模应用于电动汽车、充电桩、光伏新能源等各个领域。在新能源汽车功率器件、通信基站、光伏逆变器、高频通讯系统等领域具有巨大潜力。” CINNO Research 资深分析师王菁则表示。

事实上，新能源汽车、风光储等领域的快速发展已显著推动了碳化硅需求的增长，业内厂商受益。今年上半年，三安光电、晶升股份等企业的碳化硅相关业务板块为业绩提供了重要增量。

不过，目前碳化硅产品进阶之路尚存阻力。刘伟表示，从行业报告和实际市场需求来看，碳化硅发展势头迅猛。但在这背后，因不同应用场景需求差异，碳化硅产品在设计层面面临成本、可靠性、鲁棒性等方面挑战，比如短路耐受能力、工作结温高温耐受力、恶劣环境及动态负载工况下鲁棒性。

王菁也提到，从6英寸到8英寸，成本优化的路径可以通过规模效应、设备优化、工艺改善来实现。

目前，国内碳化硅衬底和外延产品已基本实现国产化，但8英寸SiC衬底与国际企业相比，良率和成本控制仍有待提高。同时，国内碳化硅产能释放较大，存在供过于求的风险，王菁分析称。

编辑/范辉