存储上游晶圆厂的涨价周期还在延续。大摩最新研究报告表示，调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预期，由原预期8%和10%上调至13%和20%。在此情况下，市场对于存储产业期待进一步拉升。

不过，在存储下游的消费电子等产业需求并未完全回暖的情况下，这轮涨价并非利好所有产业链企业。财联社记者多方采访获悉，部分细分领域存在需求端因不堪上游涨价而下降采购量的情况。根据闪存市场最新终端产品报价，5月之后，SDD、内存条等产品售价存在明显下降趋势。对于A股大部分处于中游的封测环节厂商而言，成本端及需求端的博弈将带来考验。

需求跟不上涨价 产业营收增幅不及预期

自去年下半年开始，三星、海力士等存储晶圆原厂不堪忍受巨幅亏损，开始进入涨价周期。今年以来，存储市场延续上年涨价趋势，一家AI公司芯片采购负责人向财联社记者透露，Q2存储芯片仍处于涨价中，其计划采购的原厂DRAM在Q2单季度涨了10%-20%，从去年7月到现在涨幅约有50%。

市场调研机构TrendForce集邦咨询数据显示，第二季DRAM合约价季涨幅预计为13%-18%；NAND Flash合约价季涨幅预计为15%-20%；eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。

令人颇感意外的是，在原厂强势涨价之下，产业产值却并未迎来大幅增长。6月13日，TrendForce集邦咨询公布了DRAM Q1的销售情况，整体的季度营收仅增长了5.6个百分点，远低于上游涨价幅度。

TrendForce集邦咨询分析师吴雅婷告诉记者，这是由于出货量下降所致。“价格的大幅上升导致DRAM买方在第一季度缩减了采购量，虽然价格上涨了10%-20%，但出货量减少抵消了价格上涨带来的营收增长，最终使得季度营收仅增加了5.6%。”

针对这种情况，国产存储厂商朗科科技(300042.SZ)证券部的工作人员也告诉财联社记者，在今年的一季报中提醒过“上游价格快速增长有可能抑制下游需求”。

财联社记者多方采访获悉，本轮存储大幅涨价主要还是由上游“卖方”驱动，下游“买方”需求增长并不明显。以存储最大下游智能手机为例， Counterpoint 市场监测服务的最新研究，2024 年第一季度全球智能手机出货量同比增长 6%，幅度远低于存储涨价幅度。

目前，存储原厂仍在持续涨价，但博弈天平开始向终端厂商倾斜。

CFM消息称，近期部分mobile客户开始下调部分产品Q3需求。据悉，此次mobile客户需求下修主要来自于巨大的成本与销量压力。存量市场竞争下，销量此消彼长，加上宏观经济低迷，消费者换机周期拉长，中低端机型销量占比增加，高端机型销量占比减少。

根据闪存市场最新终端产品报价，无论是SSD还是内存条、DDR等，进入5月下半旬之后，产品价格均有不同程度的小幅下跌。财联社记者发现，慢慢买App显示，朗科科技一款1TB SSD固态硬盘为例，产品售价在今年5月下旬前一直波动大幅上涨，由2023年6月的底价219元涨至今年5月25日的429元，但此后，产品价格开始波动小幅下滑，曾在6月13日跌至399元，目前小幅回升至419元。

国产厂商谁将受益于AI浪潮？

目前，除华虹半导体等少数晶圆厂商，国内存储产业链厂商江波龙、佰维存储、朗科科技等均以从事封装、测试等中下游环节为主。因此，对于此类中下游厂商而言，吴雅婷告诉记者，如若没有吃到前期囤货红利，当原厂持续涨价，势必会带来压力。

上述朗科科技证券部人士称，晶圆厂是公司的成本端，对于公司而言，晶圆厂涨价成本会增加，但是当传导到下游时，可能终端售价也会增加，重点在于两边涨幅的对比。“因此晶圆厂涨价对于我们的影响是不一定的，如果下游的需求好可能成本都能转移过去，但是如果需求不好，我们就涨不了这么多。”

“下游的价格是市场博弈的结果，我们无法预判。”德明利证券部工作人员表示道。在此情况下，国内大多产业链厂商能否能在本次价格上行中的获益、获益幅度大小，仍在博弈中。

此外，今年AI手机、AI PC等AI终端产品开始推向市场，市场对于AI对存储产品的促进颇具期待。

不过，上述朗科科技工作人员表示，AI手机与普通手机的差别主要集中在内置NPU，除了集成在NPU处理器内的存储器，对于其他类型处理器的需求增幅并不大。

同时，尽管AI手机带来增长动能，根据Counterpoint Research预测，2024年全球智能手机出货量预计将增长3%，幅度难跟上存储涨价速度。

吴雅婷表示，在存储产业链中，受益于AI需求爆发最大的环节还是主要应用于服务器中的HBM。然而，国内在这一领域与国际头部厂商仍存在显著差距，需要进一步的技术提升和市场拓展。

目前，全球HBM市场几乎被SK海力士、三星和美光三家垄断。根据yole数据显示,2023年SK海力士市占率约为53%、三星市占率约为38%、美光科技市占率约为9%。

不过，国产HBM产业链已经有起势征兆。

今年年初，长江存储控股子公司、Pre-IPO企业武汉新芯发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，项目显示，公司会利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。拟新增设备16台套，拟实现月产出能力>3000片(12英寸)。

此外，A股的HBM相关标的主要集中在中下游。

亚威股份旗下韩国GSI公司拥有技术难度较高的存储芯片测试机业务，并稳定供货于海力士、安靠等行业龙头；佰维存储拟定增募资建设的晶圆级先进封测制造项目可以构建HBM实现的封装技术基础；国芯科技此前表示，已与合作伙伴一起正在基于先进工艺开展流片验证相关chiplet芯片高性能互联IP技术工作，和上下游合作厂家积极开展包括HBM技术在内的高端芯片封装合作；香农芯创曾表示，公司作为SK海力士分销商之一具有HBM代理资质。

编辑/范辉