据报道，美国罗彻斯特大学（University of Rochester）的科学家们通过开发混合相变忆阻器，从而研制出了一种新型的计算存储器，它速度快、密度高、功耗还低。

最新研究结果已于近期发表在了《自然电子》杂志上。

据介绍，它结合了两种现有用于存储的电阻开关的最佳特性::忆阻器和相变材料。这两种形式都比当今最流行的存储器形式（包括动态随机存取存储器（DRAM）和闪存）有优势，但它们也有缺点。

研究人员说，记忆电阻器是通过在两个电极之间的细丝上施加电压来工作的，与其他形式的存储器相比，它往往相对缺乏可靠性。与此同时，相变材料需要有选择地将材料熔化成无定形或晶态，这需要太多的能量。

在最新研究中，他们把忆阻器和相变器件的理念结合在一起，超越了这两种器件的局限性。他们说，“我们正在制造一种双端忆阻器装置，它能将一种晶体驱动到另一种晶体相位。这两种晶体相具有不同的电阻，然后你可以将其存储为存储器。”

据了解，这一突破的关键是利用二维材料，这种材料可以被拉伸到处于两种不同晶体相之间的临界点，并且可以在相对较小的功率下向任何方向推动。

研究人员解释说，“我们的工程设计本质上只是在一个方向上拉伸材料，在另一个方向上压缩材料。通过这样做，性能可以提高几个数量级。在我看来，这种材料最终可以作为一种超快、超高效的内存形式应用于家用电脑。这可能会对整个计算产生重大影响。”

编辑/范辉