4月1日，意法半导体（ST Microelectronics，简称ST）与英诺赛科宣布签署了一项协议，双方将在氮化镓晶圆制造上进行合作。

根据协议，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性，从而满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。

氮化镓功率器件凭借其材料特性，为电源转换、运动控制与驱动系统树立了性能新标杆，可显著降低能耗、提升效率、缩小体积并减轻重量，从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及，并因其显著的轻量化优势，被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中。

截至发稿，英诺赛科4月1日股价先跌后反弹，目前在42.4港元/股附近。

编辑/范辉