近日，北京工业大学物理与光电工程学院信息光电子研究所师生在实现双色正交偏振发光二极管研究方面取得进展，对于制备具有高性能线偏振LED器件具有重要意义。相关研究成果在期刊《Nature Communications》在线发表。

近年来，线偏振有机发光二极管已经极大丰富了偏振光学和光电子行业的应用场景;针对三维显示、增强现实/虚拟现实、高密度数据存储和光学加密等，兼顾高偏振、强定向发射、窄带宽、多色可调的线偏振有机发光二极管的低成本和大面积制备，是当前领域内所面临的重要挑战。为解决这些问题，研究团队结合双光束干涉法和真空热蒸镀法，成功实现了兼具低成本和大面积的电介质/金属光栅，率先将金属F-P微腔与光栅微腔耦合到有机发光二极管内部；并借助时域有限差分法，确定了复合微腔的耦合机理，实现了有机发光二极管高强度的天蓝光横电模波导模式和绿色横磁模波导模式的正交出射；通过有效调节光栅周期、有机层厚度等成功将耦合条件覆盖到整个可见光范围，完成全彩偏振显示和图像加密。该工作实现了兼具高偏振消光比、高外量子效率和定向发射的双色正交偏振发射的有机发光二极管。

北京工业大学为该论文的唯一完成单位，物理与光电工程学院博士研究生陈瑞祥为第一作者，梁宁宁校聘教授与翟天瑞教授为共同通讯作者。该研究得到国家自然科学基金项目资助。

文/北京青年报记者  雷嘉

编辑/张鹏