三星“挑动”芯片产业神经,为何韩国工厂失火备受关注?
​第一财经 2024-03-22 13:40

3月21日,有消息称位于韩国京畿道龙仁市的三星SDI大楼出现火灾。随后有市场分析认为这可能影响三星的存储芯片业务。3月22日,三星半导体相关负责人向第一财经记者表示,此次火灾与其半导体业务无关。

火灾挑动大众神经背后,存储芯片市场刚经历一轮低谷,目前正从谷底回暖,而处于市场龙头位置的三星的产能也因此备受关注。

集邦咨询数据,NAND Flash品牌厂商中,三星经历了2023年第二季度的营收环比下滑和第三季度的止跌,第四季度营收才恢复增长。在终端消费电子等需求仍不强劲的情况下,此前三星和其他NAND厂商都通过减产维持价格。

此外,值得注意的是,有消息称,三星电机(三星集团旗下子公司)计划在本月至下月期间,与主要移动端、PC端及服务器端客户就NAND闪存价格展开新一轮的谈判,旨在将价格提升15~20%。在经历了长达一年多的供过于求的市场环境后,三星电子的NAND闪存售价一度逼近成本线。因此,公司决定与大客户展开谈判,以期将价格调整至一个更为合理的水平。

但三星半导体内部人士对记者表示,电机业务跟三星半导体业务分开运营。对方称,不清楚电机业务相关情况。

火灾何起?

根据公开信息显示,三星韩国工厂此次火灾起火原因是焊接工作冒出火花,位于韩国京畿道龙仁市的基兴工厂研究开发洞增建工地。当时现场有27名工人,工人都逃离现场,无人员伤亡。三星SDI消防监督员向消防部门报案,随后2辆消防车和消防员等人员到达现场,花了约20分钟扑灭火情。三星SDI一名有关负责人表示,今后将更注意防止安全事故发生。

据了解,三星SDI的主营业务是电池和电子材料。在国内,三星SDI此前在天津设有工厂,生产动力电池等。

三星旗下业务此前也曾多次发生火灾,包括电池业务、芯片业务等。2017年,三星天津电池工厂发生火灾,有消息称起火点为废弃品仓库,过火面积约290平方米,事故未造成人员伤亡。据消防部门现场处置发现,起火物质为生产车间内锂电池及部分半成品。

2020年3月,三星电子位于华城的半导体工厂发生火灾,起火点是工厂的废水处理设施,但对晶圆生产没有造成影响,也无人员伤亡。彼时,三星刚经历2019年的存储器价格下降,2020年存储器价格开始有涨价趋势。三星华城工厂主要用于生产DRAM颗粒和NAND存储芯片。彼时有研究机构认为,火灾叠加疫情影响等,可能使供给端产能提升难度加大。

2022年,有消息称泰国北榄府的三星仓库发生火灾,无人员伤亡,但一些货物被损坏。20辆消防车前往现场,消防员花了约1个小时控制住局势,仓库内有电器。

火灾之外,三星工厂也多次发生停电事故。

2016年6月,西安变电站发生爆炸事故,导致三星半导体工厂流水线短暂停止作业。2018年,三星平泽芯片工厂发生半小时停电,预计导致损失大约 500 亿韩元。2020年,三星电子位于韩国的华城芯片厂发生约一分钟的停电,导致部分半导体生产暂停,有报道称由于一区域电缆发生问题导致停电,三星电子部分DRAM和NAND芯片生产线中止,预计要两三天左右才能完全恢复,且有报道引述分析师的分析,称该事件可能有助抑制三星电子庞大晶片库存的增加。2021年,由于冬季风暴,美国德克萨斯州出现电力短缺,三星电子彼时暂停了当地的半导体工厂运营。

“挑动”存储芯片产业神经

三星的一举一动都在影响着当下存储芯片市场价格走向。

NAND Flash、DRAM是目前最主要的存储芯片,前者用于制作固态硬盘和嵌入式存储等,后者为内存。据集邦咨询数据,至2023年第四季度,NAND Flash品牌厂商中,三星市占率达到36.6%,排行第一,此外,SK集团、西部数据、铠侠、美光市占率分别为21.6%、14.5%、12.6%和9.9%。此前受疫情、消费市场疲弱等多种因素影响,存储芯片价格经历下滑,三星等主要存储芯片厂商进行了减产,当前存储芯片行业还在摆脱下行周期影响。

全球NAND Flash品牌厂商营收排行榜中,三星营收位列第一,2023年第二季度,三星营收环比下降1%,第三季度环比持平,第四季度环比才恢复增长,增长44.8%.

DRAM市场更加集中。据集邦咨询数据,DRAM厂自有品牌中,2023年第四季度,三星市占率45.5%,排名第一,其次是占比31.8%的SK海力士、占比19.2%的美光,这三家是最主要的DRAM厂商。DRAM市场也经历了从谷底复苏的过程,该排行榜中,三星第四季度营收环比增长51.4%。

“存储市场经历两年下滑后,今年开始重新回到正轨,再加上先进技术及新兴市场应用,预计今年市场规模同比提升至42%以上,原厂利润率去年第一季度触底后,第四季度个别公司开始恢复盈利,今年第一季度预计绝大部分公司利润率会得到全面有效扭转。”深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜表示。

其中,受AI服务器等需求影响,DRAM较早复苏,近期有消息称随着生成式AI带动高带宽存储器(HBM)及DDR5需求暴增,存储器原厂集体减产动作将进入尾声,随着需求的增长,三星、SK海力士及美光全面调升上半年稼动率。

目前,三星已加入HBM“战局”。集邦咨询资深研究副总吴雅婷近日表示,目前英伟达现有主攻H100的存储器解决方案为HBM3,SK海力士是最主要供应商,但供应不足以应付整体AI市场所需,至2023年,三星以1Znm产品加入英伟达供应链。此外,近日有消息称三星为弥补HBM3良率不足,下达了相应的芯片制造设备采购订单。

NAND也在望向复苏,但复苏速度可能不快。集邦咨询研报表示,今年3月起铠侠、西部数据率先将产能利用率恢复至近九成,但其余厂商未明显增加投产规模。预计NAND Flash合约价涨幅自今年第二季度将收敛至10~15%,至第三季度降至0~5%。记者了解到,NAND也在适应AI服务器等对存储容量增加的需求,业界认为这将有利于拉升NAND行情,但有存储主控芯片厂高管告诉记者,复苏可能没有预想的强劲,因为AI服务器需求已消化一部分,要在终端应用需要时间,也需要等待AI产品价格下降。(郑栩彤)

编辑/田野

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