日前，在2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科学技术部党组成员、副部长相里斌表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。

构建产业生态

相里斌表示，“十三五”时期已经基本解决我国第三代半导体产品和相关装备的“有无”问题，“十四五”时期将重点解决“能用、好用”以及可持续创新能力的问题。“我们将聚焦关键核心技术和重大应用方向，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈。”

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向物理极限，专家认为，未来10年以第三代半导体为代表的新材料发展将重塑市场格局，并带来新的机遇。

太空技术、生物技术以及生成式AI等颠覆性技术持续突破，其底层核心都是半导体技术。业内人士认为，第三代半导体已成为新能源汽车、智能电网、先进制造、移动通信、新型显示等产业创新发展的新引擎，支撑“双碳”目标实现和数字化、网络化、智能化融合发展。

中信证券研报显示，第三代半导体材料具有更宽的禁带、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，在高压、高频、高温、高功率等领域具有更强的适用性。其中，碳化硅商用更加成熟，在高功率应用领域优势凸显。

新一代信息技术与工业化深度融合加快，为集成电路产业发展创造了巨大的空间。以北京市顺义区为例，全区已初步形成从装备到材料、芯片、模组，封装检测及下游应用的产业链布局，聚集了国联万众、泰科天润、瑞能半导体、特思迪等20余家重点企业。

北京市委常委、副市长靳伟表示，北京市面向国家发展战略需求，加强第三代半导体核心关键技术攻关、产业生态建设、应用场景拓展，推动在京形成第三代半导体技术高地与高水平产业集群。

推动示范应用

科学技术部原副部长、国际半导体照明联盟主席曹健林表示，在新能源汽车、光伏、储能等领域的需求带动下，第三代半导体产业增长超预期，整个产业进入高速成长期。

对于第三代半导体未来如何发展，与会专家建议，一方面需要推动示范应用，打通产业链条，提高产业竞争力；另一方面需要集聚技术、人才等创新要素，坚持开放创新，积极推动国际科技交流与合作。

在此次论坛上，国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片生产项目等6个产业项目成功签约，预计总投资近18亿元。

专家认为，目前我国第三代半导体发展仍面临产业分布散、材料装备验证能力弱、工程技术人员缺乏等问题。推动第三代半导体产业发展需聚焦重点市场，加强产业链协同创新，以创新驱动产业高质量发展，实现关键核心技术突破。

编辑/范辉